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200MHz 동작, 초당 1.6GB 처리..내년 1분기 양산
하이닉스반도체는 세계 최고속, 최소형 1Gb(기가 비트) 모바일 D램 개발에 성공하고 내년 1분기 양산에 들어간다고 12일 밝혔다.
모바일 D램은 주로 휴대전화에 쓰이는 메모리로, 휴대전화 배터리 수명을 감안해 컴퓨터에 장착되는 메인 메모리 사용 전력의 0.01% 수준으로 설계된 게 특징이다.
최근 휴대용 전자기기가 급속히 소형화, 대용량화, 고속화되고 있기 때문에 이러한 모바일 D램 수요가 급증하고 있다.
하이닉스는 "60나노급(66나노 공정기술 이용) 공정으로는 세계 최초로 개발돼 상용화되는 제품으로 지금까지 개발된 1Gb 모바일 D램 제품 중 크기가 가장 작고 데이터 처리 속도가 가장 빠르다"고 개발 의미를 내세우고 "무엇보다 초미세 공정을 사용함에 따라 크기가 획기적으로 줄어 다양한 초소형 전자기기와 메모리 제품에 적용이 가능할 것"이라고 내다봤다.
특히 이번 제품은 최대 200MHz로 동작하고 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 최대 초당 1.6GB(기가 바이트) 가량의 데이터를 처리할 수 있다고 하이닉스는 강조했다.
이와 함께 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 데이터 처리 속도와 방식을 하나의 칩에서 변경해 사용할 수 있도록 한 하이닉스의 '원 칩 솔루션' 기능을 갖추고 있다고 덧붙였다.
하이닉스는 다양한 소형 메모리 제품에 적용이 가능한 제품 특성을 살려 낸드플래시와 D램을 쌓아 만든 낸드 멀티칩 패키지(NAND MCP)와, 패키지 위에 패키지를 얹는 패키지 온 패키지(PoP) 등 각종 형태로 제품을 생산하고 노어 멀티칩 패키지(NOR MCP)와 시스템 인 패키지(SiP) 등의 업체에는 웨이퍼 상태로 제품을 공급할 수 있도록 'KGD(Known Good Die)' 형태의 제작도 병행할 계획이라고 설명했다.
고형규 기자 uni@yna.co.kr (서울=연합뉴스)
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