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3세대 견줘 속도·생산성 30% 향상
‘완공예정’ 평택 반도체 라인 생산
‘완공예정’ 평택 반도체 라인 생산
삼성전자가 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보(비트)를 저장하는 ‘1 테라(Tera) 비트 V낸드’ 시대를 여는 원천 기술을 확보했다고 밝혔다.
삼성전자는 15일 기존 3세대(48단) 대비 성능과 신뢰성을 개선한 ‘4세대(64단) 256기가비트(Gb) 3비트 V낸드플래시’를 본격 양산한다고 밝혔다. 4세대 V낸드는 ‘초고집적 셀 구조·공정’, ‘초고속 동작 회로 설계’, ‘초고신뢰성 CTF 박막 형성’ 등 3가지 기술을 적용해 3세대와 견줘 속도와 생산성, 전력 효율을 모두 30% 이상 향상한 제품이라고 설명했다.
V낸드는 전원이 꺼져도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성을 갖는 플래시 메모리의 일종이다. 컴퓨터 하드디스크를 대체하는 반도체 기반 저장장치인 SSD와 메모리카드 등의 제품에 활용된다. V낸드는 수십개의 단을 쌓아 올려 셀(정보를 저장하는 공간)을 3차원 수직으로 적층하는 데 단수가 높아질수록 구조가 틀어지는 현상이 발생하는 등 물리적 한계가 있다. 삼성전자는 ‘9-홀'이라는 ‘초고집적 셀 구조·공정' 기술로 기존 적층 한계(90단)를 극복, 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 ‘1Tera(테라) 비트 V낸드' 시대를 여는 원천 기술을 확보했다고 설명했다.
4세대 V낸드 제품은 현재 경기도 화성사업장에서 생산 중이며 이달 말 완공 예정인 평택사업장에서도 곧 생산에 들어갈 예정이다. 삼성전자 평택 사업장은 지난 2015년 5월 첫 삽을 떴고, 시험운행을 마무리짓고 6월말 정상가동될 예정이다. 이재용 부회장이 구속돼 재판을 받는 상황이어서 별도의 준공식 행사 없이 곧바로 정상 가동에 들어갈 것으로 알려졌다.
이완 기자 wani@hani.co.kr
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