삼성전자의 경기도 평택사업장 항공 사진. 삼성전자 제공
삼성전자가 평택에 대규모 파운드리(반도체 위탁생산) 생산시설 투자 계획을 발표했다. 삼성전자는 21일 경기도 평택사업장에 2021년 가동을 목표로 초미세 극자외선(EUV) 기반의 첨단 제품수요에 대응하는 파운드리 생산시설 구축에 나선다고 밝혔다.
이번 투자는 지난해 4월 이재용 부회장이 2030년까지 133조원을 투입해 메모리만이 아니라 시스템반도체에서도 1위를 차지하겠다고 밝힌 ‘반도체 비전2030’에 따른 조처의 일환이다. 이재용 삼성전자 부회장은 이번 투자 발표에 대해 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다”며 지속적인 투자 의지를 밝혔다.
삼성전자는 올해 2월 화성사업장에 극자외선 전용라인을 가동한 바 있다. 극자외선 노광 기술은 파장이 짧은 극자외선 광원으로 웨이퍼에 반도체 회로를 새기는 기술로, 초미세 회로 구현이 가능해 고성능·저전력 반도체 생산을 위한 핵심기술이다.
삼성이 보유한 파운드리 생산라인은 기흥 2개, 화성 3개, 미국 오스틴 1개 등 총 6개다. 이번 평택은 삼성의 7번째 파운드리 라인이면서, 극자외선 기반으로는 화성에 이어 두 번째다. 세계 파운드리 시장은 대만의 티에스엠시(TSMC)가 50% 넘는 점유율로 1위이고, 삼성은 10% 중후반대의 점유율로 2위다. 티에스엠시는 최근 미국 애리조나에 120억달러를 투자해 파운드리 공장을 신설하고 2024년부터 가동한다고 발표한 바 있다.
삼성전자와 티에스엠시는 현존하는 최고난도의 초미세 공정인 5나노 제품 양산 시점을 놓고 치열한 경쟁을 벌이고 있다. 삼성은 5나노 제품을 올 하반기에 화성사업장에서 먼저 양산한 뒤 이후 평택 파운드리 라인에서도 5나노 제품 생산에 나설 계획이다. 내년 준공되는 평택사업장 라인은 7나노 공정으로 출발한다.
삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 극자외선 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 밝혔다.
삼성전자는 “글로벌 파운드리 시장은 5G, 인공지능, 통신망 등 신규 수요처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상된다”며 “프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일과 신규 응용처로 첨단 극자외선 공정 적용을 확대해 나갈 계획”이라고 밝혔다.
구본권 선임기자
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