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64기가비트(Gb) 낸드플래시 제품
30나노급보다 생산성 두배
메모리 반도체가 올해 안에 20나노급 초미세 공정의 양산 시대에 접어들 전망이다.
하이닉스반도체는 20나노급(1나노미터=10억분의 1m) 기술을 적용한 64기가비트(Gb) 낸드플래시 제품(사진) 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. 이로써 삼성전자와 아이엠(IM)플래시테크놀로지(인텔과 마이크론 합작사) 등 주요 낸드플래시 업체들이 올해 들어 모두 20나노급 기술 개발에 성공했다. 이들 업체는 올해 안에 본격 양산을 시작할 예정이다.
반도체 칩은 회로의 선폭을 최소화 해 집적도를 높일수록 생산성과 원가, 성능이 앞선다. 낸드플래시는 주로 휴대용 전자기기에 쓰이는 메모리 반도체로, 해마다 집적도가 빠르게 향상돼 디(D)램 시장을 대체하고 있다. 20나노급 낸드플래시는 30나노급 대비 2배 가까이 생산성이 높다. 디램의 경우, 삼성전자가 최근 업계 처음으로 30나노급 개발에 성공해 올 하반기 양산 예정이며, 하이닉스는 올 연말께 30나노급 제품을 개발해 내년께 양산할 계획이다.
하이닉스는 뉴모닉스(인텔과 에스티마이크로 합작사)와 협력해 30나노급 낸드플래시를 개발한 지 6개월만에 연속적으로 20나노급 개발에 성공했다. 박성욱 하이닉스 부사장은 “올 3분기부터 낸드플래시 전용라인인 청주공장에 1조원을 투자해 생산능력을 두배로 늘릴 계획”이라며 “주로 통신기술에 적용됐던 노이즈(간섭현상) 제거기술을 적용해 공정을 더욱 미세화하는 연구를 추진할 계획”이라고 말했다.
낸드플래시의 경우 디램과 달리 업체간 미세화 공정 수준이 엇비슷해 치열한 개발 선점 경쟁이 지속될 전망이다. 디램보다 반도체 셀 구조가 단순하기 때문에, 10나노급 미세공정 수준까지 집적도를 끌어올릴 수 있을 것으로 업계는 보고 있다.
글 김회승 기자 honesty@hani.co.kr, 사진 하이닉스반도체 제공
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