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삼성전자는 내장 메모리로는 업계 최대용량인 30나노급 64기가바이트(GB) 낸드플래시(모비낸드)를 양산한다고 13일 밝혔다. 이 제품은 32기가비트(Gb) 낸드플래시 칩 16개와 컨트롤러 1개를 17단으로 쌓아올려 하나의 패키지로 만든 제품이다. 지난해 4월 32GB 제품 양산에 이어 8개월만에 두배 용량의 제품 양산을 시작한 것이다. 휴대전화 등 모바일기기의 내장 메모리 용량 64기가바이트는, 외장 메모리 카드 용량과 맞먹거나 웃도는 것이다. 낸드플래시 경쟁사인 일본 도시바는 지난해 말 같은 용량 제품을 개발했지만 아직 양산 단계에 이르지 못하고 있다. 삼성전자 관계자는 “업체 최고 수준의 대용량 메모리를 맨 처음 양산함으로써 스마트폰, 디지털 캠코더 등 모바일기기에서 시장 지배력을 한층 높일 수 있게 됐다”고 말했다.
하이닉스반도체도 이날 업체 처음으로 40나노급 2Gb 모바일 디(D)램 개발에 성공했다고 발표했다. 하이닉스반도체는 “모바일 디램에서 40나노급 초미세 공정이 적용된 2Gb급 제품은 처음이며 올 상반기 중 양산할 계획”이라며 “전력 소모도 기존 제품의 30% 수준”이라고 설명했다.
삼성전자도 40나노급 모바일 디램을 상반기에 양산할 계획이다. 현재 일본·대만의 경쟁업체들은 50나노급 양산에 머물고 있는데, 40나노급 양산기술은 이보다 생산성이 30%가량 뛰어난데, 하이닉스는 세계 모바일 디램 시장 점유율을 2007년 7.1%에서 올해 30% 이상으로 늘릴 계획이다.
김회승 기자 honesty@hani.co.kr
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