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삼성전자가 세계 처음으로 40나노급(1나노=10억분의 1m) 미세공정을 적용한 2기가비트(Gb) 디(D)램(DDR3) 제품을 이달 말부터 본격 양산한다고 21일 밝혔다. 40나노급 DDR3 디램은 지난해 9월부터 삼성전자가 양산중인 50나노급보다 칩 면적이 작아 생산성이 60% 가량 더 높다. 속도는 800M~1.6Gbps로, 기존 DDR2 디램 보다 20% 가량 빠르다. 1.6Gbps는 4.7기가바이트(GB) 용량의 디브이디급(DVD)급 영화를 0.18초에 내려받을 수 있는 속도다. 전력 소모도 DDR2 디램보다 30% 가량 적다. 삼성전자는 “현재 50~60 나노급 디램을 생산하고 있는 다른 메모리반도체 업체와의 공정 미세화 및 원가 경쟁에서 우위를 지켜나가게 됐다”고 설명했다.
김회승 기자 honesty@hani.co.kr
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