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삼성, 40나노 8기가 ‘플렉스 원낸드’ 개발
3월중 양산 시작
삼성전자는 10일 40나노급(1나노=10억분의 1ｍ) 공정을 적용한 8기가비트 ‘플렉스 원낸드’(사진)를 세계 처음으로 개발했으며 올해 원낸드 제품 생산을 지난해 대비 2배로 늘리겠다고 밝혔다. 원낸드는 속도가 빠른 싱글레벨셀 낸드와 고용량 멀티레벨셀 낸드의 특성을 통합한 퓨전메모리인데, 경쟁사인 도시바의 제품과 달리 삼성전자의 ‘플렉스 원낸드’는 제조사가 자유롭게 용량을 설정할 수 있는 게 특징이다. 삼성전자 쪽은 이달 중으로 양산체제에 들어갈 40나노급 8기가 플렉스 원낸드는 지난 2007년 개발한 60나노급 4기가 플렉스 원낸드에 견줘 생산성이 2.8배 높다고 설명했다.
이 제품의 가장 큰 수요처는 스마트폰 업계다. 스마트폰에 내장된 확장 스토리지를 별도 소프트웨어 없이 컨트롤할 수 있어, 현재 최대 내장용량이 16기가바이트에 머물고 있는 스마트폰의 내장용량도 32기가바이트까지 늘어날 수 있다.
세계 반도체경기의 극심한 침체에도 낸드 플래시 시장은 최근 몇가지 호재를 맞고 있다. 먼저 이달초 낸드와 함께 플래시메모리 시장의 한 축이었던 노어 진영의 선두주자 미국 스팬션사가 파산 신청을 하며, 앞으로 낸드에 대한 수요 증가 기대가 커졌다는 점이다. 또다른 호재는 상승세를 멈춘 디램에 비해 낸드의 가격은 꾸준히 오르고 있다는 것이다. 지난 9일 현재 낸드플래시의 고정거래 가격(16기가비트 MLC 기준)은 7개월 만에 처음으로 3달러를 돌파했다.
김영희 기자 dora@hani.co.kr
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