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삼성, 4Gb DDR3 세계 첫 개발
기존 최고 2Gb보다 40% 전력소비 절감
기존 업계 최고 디램 대비 40% 이상 전력소비를 줄일 수 있는 저전력 고용량 메모리 시대가 열렸다.
삼성전자는 29일 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 4기가비트 디디알3 디램(사진)을 개발했다고 밝혔다.
이번 4기가비트 디디알3 디램은 50나노 공정과 저전력 설계 기술을 적용해 1.35볼트에서 초당 1600메가비트의 데이터 처리속도를 구현할 수 있다. 또 16기가바이트 디램 모듈을 제작할 경우, 1기가비트 디램은 144개, 2기가비트는 72개를 탑재해야 하지만 이 제품은 36개로 가능해 2기가비트 대비 40% 이상 전력소비를 줄일 수 있다. 1기가비트 디램과 비교하면 70%까지 전력소비가 줄어드는 셈이다.
삼성전자는 “많은 서버를 설치하는 곳의 경우, 전기료를 줄이는 효과뿐만 아니라 열 방출 장비나 전력 공급 설비의 설치·유지·보수 비용 절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있다”고 설명했다.
삼성전자는 2007년 60나노 공정 2기가비트 디디알2 디램을 내놓으며 고용량 디램 시대를 열었고, 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 디디알3 디램을 개발한 바 있다.
반도체 시장 조사기관인 아이디시에 따르면 세계 디디알3 시장 규모는 비트 기준으로 전체 디램 시장에서 올해 29%, 2011년 75%를 차지하게 된다.
김영희 기자 dora@hani.co.kr
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