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세계 최초…내년 상반기 양산
반도체산업 침체 속에서도 하이닉스반도체의 모바일 디램 개발 속도가 빨라지고 있다. 하이닉스는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 디램 제품을 세계 최초로 개발해 내년 상반기부터 양산할 예정이라고 3일 밝혔다.
이 제품은 휴대용 전자기기에 주로 사용되는 멀티칩패키지(MCP) 반도체 제품 등에 들어가는 현재 최대 용량의 모바일 디램에 비해 2배의 용량을 갖고 있다.
전력소비도 기존 메모리 제품의 8분의 1에 불과해 휴대전화, 디지털 카메라, 엠피3 플레이어, 내비게이션 등의 제품에 적합하다고 하이닉스는 설명했다.
하이닉스는 “이번 제품으로 급속하게 고용량화, 저전력화, 고속화, 소형화하고 있는 모바일 시장을 선도할 것”이라고 기대했다. 최근 차입이나 자산매각을 포함해 여러가지 자금확보안을 검토하고 있으면서도, 하이닉스는 연구개발비는 줄이지 않는다는 방침 아래 신제품 개발에 박차를 가하고 있다.
특히 모바일 디램 등을 중심으로 고부가가치 제품 비중을 높인다는 전략이다. 올해 들어서 66나노 적용 최소형 1기가비트 모바일 디램을 내놓은 데 이어 최근 최고속 1기가비트 엘피디디알2 개발에도 성공한 바 있다.
김영희 기자 dora@hani.co.kr
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