삼성전자는 60나노미터 공정을 이용한 1기가비트 더블데이터레이트(DDR)2 디램을 업계 처음으로 양산하기 시작했다고 1일 밝혔다. 디디아르2는 1세대 디디아르보다 속도가 갑절 이상 빠르면서도 전력소비량은 낮은 고성능 메모리 칩이다. 60나노 1기가 디램은 현재 업계의 주력 공정인 90나노에 견줘 생산성이 2배 가량 높아 원가경쟁력을 크게 끌어올릴 수 있다고 삼정전자는 설명했다. 삼성전자는 2004년 90나노 1기가 디램을 양산한 이후, 지난해 3월에는 80나노 512메가 디램을, 지난해 8월에는 80나노 1기가 디램을 각각 양산해왔다.
김회승 기자 honesty@hani.co.kr
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